Samsung розпочинає виробництво 3-нм чіпів для використання їх у найсучасніших процесорах

Компанія Samsung Electronics оголосила про початок виробництва чипів на базі 3-нанометрового технологічного вузла із застосуванням транзисторів Gate-All-Around (GAA).

Як передає Укрінформ, про це йдеться в повідомленні компанії.

Зазначається, що використання нових технологій підвищить ефективність енергоспоживання шляхом зниження рівня напруги живлення, а також покращить продуктивність роботи мікрочіпів, оскільки вони будуть меншими, потужнішими та ефективнішими.

Їх збираються використовувати у високопродуктивних обчислювальних додатках, а потім упровадять у смартфони та інші ґаджети.

Зазначається, що ці технології дають змогу знизити енергоспоживання на 45%, підвищити продуктивність на 23% і зменшити площу поверхні мікрочіпа на 16% в порівнянні з 5-нонаметровим.