За секунду можна залити 30 гігабайт: Samsung розробив HBM-чипи нового покоління

Фото

Південнокорейська компанія Samsung Electronics заявила про розробку мікросхем пам’яті з високою пропускною здатністю (High Bandwidth Memory, HBM) п’ятого покоління.

Як передає Укрінформ, про це повідомляє Yonhap.

За даними компанії, нові чипи мають найвищу в галузі ємність у 36 гігабайт.

У Samsung Electronics заявили, що планують масово виробляти напівпровідник нового покоління вже у першій половині року.

Також у компанії додали, що HBM3E 12H пропонує 50-відсоткове покращення порівняно зі своїм попередником HBM3 8H як у продуктивності, так і в ємності.

Він може обробляти дані зі швидкістю до 1 280 ГБ за секунду, що еквівалентно можливості завантажувати понад 40 UHD-фільмів із ємністю в 30 ГБ лише за одну секунду.

Читайте також: Samsung представив найшвидший у світі чип графічної DRAM-пам’яті

Компанія вже також почала доставку зразків HBM3E 12H своїм клієнтам.

Зазначається, що мікросхеми HBM набувають популярності через важливу роль у живленні генеративних систем штучного інтелекту, таких як чат-бот ChatGPT від компанії OpenAI.

Як повідомляв Укрінформ, південнокорейська компанія Samsung Electronics вперше показала свою обручку для здоров’я Galaxy Ring на виставці Mobile World Congress (MWC) 2024 в іспанській Барселоні.

Фото: wccftech.com