Samsung відкрила лабораторію у США для розробки 3D-DRAM нового покоління - ЗМІ

Про це повідомляє Yonhap із посиланням на джерела, передає Укрінформ.

За словами співрозмовників, лабораторія працює під керівництвом компанії Device Solutions America (DSA) зі штаб-квартирою в Силіконовій долині, яка контролює виробництво напівпровідників Samsung у США. Ця компанія також працюватиме над розробкою оновленої моделі DRAM, яка допоможе Samsung стати лідером на світовому ринку мікросхем 3D-пам’яті.

У жовтні південнокорейський технологічний гігант Samsung Electronics Co. заявив, що готує нові 3D-структури для суб-10-нанометрової DRAM, що дозволить збільшити ємність одного чипа до понад 100 гігабіт.

Динамічна оперативна пам'ять (DRAM) — один із видів комп'ютерної пам'яті із довільним доступом, найчастіше використовується як оперативна пам’ять сучасних комп'ютерів. Основна перевага пам'яті цього типу полягає в тому, що її комірки упаковані дуже щільно, тобто в невелику мікросхему можна упакувати багато бітів, а значить, на їх основі можна побудувати пам'ять великої ємності.

Як повідомляв Укрінформ, у січні Samsung представила телефони Galaxy S24, S24+ і S24 Ultra, оснащені інструментами штучного інтелекту.

Фото ілюстративне